报告题目：集成电路微纳互连电化学成形
报告人：杭弢教授 上海交通大学材料科学与工程学院
报告时间：2023年3月31日上午10:00
报告地点：杨鸿耀楼430
报告摘要：
随着三维集成密度的提高，微通道直径、间距的缩小，如何实现纳米级多层异质结构薄膜在复杂几何形状的微通道内均匀无损成形，是集成电路制造面临的难题。另一方面，高频高速信号传输对集成电路互连材料的电导性和热稳定性提出了更高的要求。然而，目前借助于多种添加剂协同作用的芯片铜互连电沉积超填充工艺不可避免在互连线中引入大量非金属元素夹杂和晶体结构缺陷，而导致电阻和应力激增。因此，开发可有效提升集成电路铜互连晶体完整性的先进电沉积工艺，对实现高频高速信号传输具有重要的理论研究意义和实际应用价值。
个人简介：
杭弢，上海交通大学材料科学与工程学院教授，博士生导师，院长助理，上海高校“东方学者”特聘教授。主要研究方向为集成电路互连材料的电化学成形及表界面控制。2004年、2010年分别于上海交通大学材料科学与工程学院获学士、博士学位，2007年-2009年作为联合培养博士生赴美国密西根大学材料与工程系留学。2010年-2013年在日本早稻田大学从事博士后工作。2017年-2018年赴美国西北大学访问。主持国家自然科学基金重大项目子课题、面上项目、青年项目，国家科技重大专项子课题等多个国家级项目。在Nat. Electron., Sci. Adv., Adv. Mater., PNAS等期刊发表SCI论文一百余篇。发表论文被引用两千余次，H因子25。目前任上海市电子学会理事，电子电镀专委会委员。IEEE ICTA 集成电路技术与应用国际会议技术委员会委员，ICEPT 电子封装国际会议材料与工艺分会主席，日本九州大学、韩国釜山国立大学客座教授等。